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    陳工18002557368
    單位新聞
    半導體分立器件AEC-Q101流程試驗
    發布時間: 2022-07-22 13:45 更新時間: 2024-12-26 08:00

    半導體分立器件AEC-Q101分享試驗

    AEC-Q101對對各類半導體分立器件的車用可靠性要求進行了梳理。AEC-Q101試驗不僅是對元器件可靠性的國際通用報告,更是打開車載供應鏈的敲門磚。 廣電計量在SiC第三代半導體器件的AEC-Q分享上具有豐富的實戰經驗,為您提供可靠的AEC-Q101分享服務,同時,我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮(Autoclave)試驗服務,設備能力完全覆蓋以SiC為第三代半導體器件的可靠性試驗能力。

    服務介紹

    隨著技術的進步,各類半導體功率器件開始由實驗室階段走向商業應用,尤其以SiC為代表的第三代半導體器件國產化的腳步加快。但車用分立器件市場均被國外巨頭所把控,國產器件很難分一杯羹,主要的原因之一即是可靠性得不到認可。

    測試周期:

    2-3個月,提供全面的分享計劃、測試等服務

    產品范圍:

    二、三極管、晶體管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、閘流管等半導體分立器件

    測試項目:

    序號測試項目縮寫樣品數/批批數測試方法

    1Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric TestTEST所有應力試驗前后均進行測試用戶規范或供應商的標準規范

    2Pre-conditioningPCSMD產品在7、8、9和10試驗前預處理JESD22-A113

    3External VisualEV每項試驗前后均進行測試JESD22-B101

    4Parametric VerificationPV253 Note A用戶規范

    5High Temperature

    Reverse BiasHTRB773 Note BMIL-STD-750-1

    M1038 Method A

    5aAC blocking

    voltageACBV773 Note BMIL-STD-750-1

    M1040 Test Condition A

    5bHigh Temperature

    Forward BiasHTFB773 Note BJESD22

    A-108

    5cSteady State

    OperationalSSOP773 Note BMIL-STD-750-1

    M1038 Condition B(Zeners)

    6High Temperature

    Gate BiasHTGB773 Note BJESD22

    A-108

    7Temperature

    CyclingTC773 Note BJESD22

    A-104

    Appendix 6

    7aTemperature

    Cycling Hot TestTCHT773 Note BJESD22

    A-104

    Appendix 6

    7a

    altTC Delamination

    TestTCDT773 Note BJESD22

    A-104

    Appendix 6

    J-STD-035

    7bWire Bond IntegrityWBI53 Note BMIL-STD-750

    Method 2037

    8Unbiased Highly

    Accelerated Stress

    TestUHAST773 Note BJESD22

    A-118

    8

    altAutoclaveAC773 Note BJESD22

    A-102

    9Highly Accelerated

    Stress TestHAST773 Note BJESD22

    A-110

    9

    altHigh Humidity

    High Temp.

    Reverse BiasH3TRB773 Note BJESD22

    A-101

    10Intermittent

    Operational LifeIOL773 Note BMIL-STD-750

    Method 1037

    10

    altPower and

    Temperature CyclePTC773 Note BJESD22

    A-105

    11ESD

    CharacterizationESD30 HBM1AEC-Q101-001

    30 CDM1AEC-Q101-005

    12Destructive

    Physical AnalysisDPA21 NoteBAEC-Q101-004

    Section 4

    13Physical

    DimensionPD301JESD22

    B-100

    14Terminal StrengthTS301MIL-STD-750

    Method 2036

    15Resistance to

    SolventsRTS301JESD22

    B-107

    16Constant AccelerationCA301MIL-STD-750

    Method 2006

    17Vibration Variable

    FrequencyVVF項目16至19是密封包裝的順序測試。 (請參閱圖例頁面上的注釋H.)JEDEC

    JESD22-B103

    18Mechanical

    ShockMS  JEDEC

    JESD22-B104

    19HermeticityHER  JESD22-A109

    20Resistance to

    Solder HeatRSH301JESD22

    A-111 (SMD)

    B-106 (PTH)

    21SolderabilitySD101 Note BJ-STD-002

    JESD22B102

    22Thermal

    ResistanceTR101JESD24-3,24-4,26-6視情況而定

    23Wire Bond

    StrengthWBS少5個器件的10條焊線1MIL-STD-750

    Method 2037

    24Bond ShearBS少5個器件的10條焊線1AEC-Q101-003

    25Die ShearDS51MIL-STD-750

    Method 2017

    26Unclamped

    Inductive

    SwitchingUIS51AEC-Q101-004

    Section 2

    27Dielectric IntegrityDI51AEC-Q101-004

    Section 3

    28Short Circuit

    Reliability

    CharacterizationSCR103 Note BAEC-Q101-006

    29Lead FreeLF  AEC-Q005


    聯系方式

    • 電  話:0755-23312011
    • 銷售:陳曉峰
    • 手  機:18002557368
    • 傳  真:0755-27907896
    • 微  信:XKS7368